产品概述
KHAA84901B-JC17是三星（SAMSUNG）推出的 HBM2E Flashbolt DRAM，采用先进的 3D堆叠技术 和 硅通孔（TSV）工艺，为高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和大数据分析提供超高带宽和低延迟的内存解决方案。明佳达电子作为全球领先的电子元器件供应商，现现货供应KHAA84901B-JC17，确保客户快速获取这一尖端存储产品。
KHAA84901B-JC17核心特性
超高带宽
KHAA84901B-JC17提供 3.6 Gbps 的传输速率，总带宽高达 460 GB/s，是传统GDDR6内存的1.5倍，可显著提升AI训练和推理效率。
适用于GPU加速计算、数据中心服务器和深度学习应用。
大容量与高密度
KHAA84901B-JC17采用 16Gb（2GB）容量，1024位宽架构，满足大规模并行计算需求。
3D堆叠设计大幅减小PCB空间占用，适合紧凑型高性能设备。
低功耗设计
相比传统DRAM，KHAA84901B-JC17的功耗降低30%，特别适合高能效计算场景，如边缘AI和自动驾驶。
高可靠性
KHAA84901B-JC17采用 MPGA封装，具备优异的散热性能，支持32ms刷新周期，确保数据稳定性。
KHAA84901B-JC17应用领域
AI/ML加速：适用于NVIDIA GPU、TPU等AI计算平台，提升神经网络训练速度。
高性能计算（HPC）：用于超级计算机、气象模拟和基因测序等数据密集型任务。
数据中心与云计算：优化服务器内存带宽，提高虚拟化和分布式计算效率。
自动驾驶与智能驾驶：支持实时传感器数据处理，降低延迟，提升决策速度。
明佳达电子供应优势
原厂正品保障：KHAA84901B-JC17来自原厂渠道，确保100%正品。
全球库存支持：国内备货，支持24小时发货，缩短客户交期。
灵活采购方案：提供小批量样品和大批量订单，满足不同需求。
专业技术支持：协助客户进行选型匹配和应用优化，加速产品落地。
为什么选择KHAA84901B-JC17？
与GDDR6相比，KHAA84901B-JC17在带宽、功耗和集成度方面更具优势，特别适合AI训练、HPC和实时数据处理等高性能场景。
如需KHAA84901B-JC17样品或批量采购，请联系明佳达电子销售团队！
