威世科技（Vishay Intertechnology, Inc.）近日宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的导通电阻低15 %，而RthJC低18 %。
日前发布的器件在10 V下的导通电子典型值为0.88 m，最大限度降低了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了热性能。这款节省空间的器件体积为8 mm x 8 mm，与采用TO-263封装的MOSFET相比，PCB面积减少50 %，而且其厚度仅为1 mm。
SiEH4800EW采用融合的焊盘，将源焊盘的可焊面积增加到3.35 mm2，比传统PIN焊接面积大四倍。这降低了MOSFET和PCB之间的电流密度，从而降低了电迁移的风险，使设计更加可靠。此外，器件易于吸附焊锡的侧翼增强了可焊性，同时更容易通过目视检查焊点的可靠性。
这款MOSFET的常适合同步整流和Oring应用。典型应用包括电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。在这些应用中，该器件可在+175 ℃的高温下工作，而其BWL设计可将寄生电感降至最低，同时使电流能力最大化。
MOSFET符合RoHS标准，无卤素，并且经过100 %的Rg和UIS测试。
对比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW对比
SiEH4800EW现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。
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