在物联网、智能汽车和工业4.0蓬勃发展的今天，数据存储技术面临前所未有的挑战——既要实现微秒级高速写入，又要保证断电后数据毫发无损，同时承受上亿次频繁读写。传统存储技术如EEPROM和Flash在严苛环境中逐渐力不从心，而一种名为铁电随机存取存储器（F-RAM） 的技术正悄然改变格局。
F-RAM（铁电随机存取存储器或 FeRAM）是一种独立的非易失性存储器，可让您在电源中断时立即捕获和保存关键数据。它们非常适合任务关键型数据记录应用，例如需要高可靠性控制和吞吐量的高性能可编程逻辑控制器 (PLC) 或改善生活质量的患者监护设备。F-RAM 采用低功耗、小型化的设计，可在不影响速度或能源效率的情况下提供即时非易失性和几乎无限的耐久性。
深圳市明佳达电子有限公司作为一家全球知名的电子元器件分销商，全面供应 Infineon 用于关键数据记录的 F-RAM（铁电 RAM）存储器。我们拥有一支销售及管理经验丰富的团队，专业代理分销500多家知名制造商的产品。我们提供的产品种类齐全，并有专业的物流和客服团队提供优质快速的服务，始终秉承着“服务于客户，让利于客户”的宗旨，现已发展成为国内知名，国外驰名的IC混合型（授权与非授权）电子元器件分销商。
F-RAM 存储器的主要特性
英飞凌的F-RAM存储器解决方案提供了一系列功能，包括：
无延迟写入，它以总线速度将数据写入存储单元，无需浸泡时间（soak time）。
铁电存储器产品非常耐用，写入次数超过100万亿次，比浮栅存储器更耐用。
超低功耗，消耗的能量比 EEPROM低 200 倍，比 NOR 闪存低 3000 倍。
耐辐射，不受辐射引起的软错误的影响而产生位翻转。
F-RAM 与其他 nvRAM 对比
F-RAM 是业界最高效的非易失性存储器，与竞争对手 EEPROM 和 MRAM 解决方案相比，消耗的有功电流要低得多。这使得 F-RAM 适用于电池供电的设备，例如可穿戴设备和医学装置。
除了最低的功耗外，F-RAM 还不受外部磁场的影响，因此即使暴露在强磁场中也能进行重写。
凭借 100 万亿次几乎无限的耐久性和即时的非易失性，F-RAM 在多个数据记录应用中的性能优于现有存储器，例如 EEPROM 和 NOR flash。
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