深圳市明佳达电子原装现货供应英飞凌IPP075N15N3G OptiMOS™功率MOSFET——150V/100A高效开关解决方案
产品概述
IPP075N15N3G是英飞凌（Infineon）OptiMOS™ 3 系列的一款 N沟道功率MOSFET，采用 TO-220-3 封装，专为高效率电源转换、电机驱动及工业控制系统设计。该器件凭借 超低导通电阻（RDS(on)） 和 卓越的开关性能，可显著提升系统能效，适用于高功率密度应用。
关键参数
FET类型：N沟道MOSFET（增强型）
漏源电压（VDSS）：150V（最大耐压）
连续漏极电流（ID）：100A（@25°C，壳温） / 75A（@100°C）
导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ @ 10V, 100A（最大值）
栅极电荷（Qg）：93nC @ 10V
输入电容（Ciss）：5470pF @ 75V4
功率耗散（Pd）：300W（@Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C（结温TJ）
封装：TO-220-3（通孔安装，带散热片）
产品特性
超低导通电阻（RDS(on)）——7.5mΩ @ 10V，显著降低传导损耗，提升系统效率。
快速开关性能——低栅极电荷（93nC）和输入电容（5470pF），适用于高频开关应用。
高功率密度——相比竞品，RDS(on)降低40%，FOM（品质因数）降低45%，可减少并联需求。
宽温度范围——-55°C ~ +175°C，适应恶劣工业环境。
符合RoHS标准——无卤素，环保设计。
典型应用
电源转换：AC-DC SMPS同步整流、DC-DC转换器。
电机驱动：48V-80V系统（电动工具、家用车辆、卡车）。
工业控制：UPS系统、断路器、电磁阀驱动。
音频设备：D类音频放大器。
联系方式：
电话：+86 13410018555（陈先生）
邮箱：chen13410018555@163.com
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