明佳达电子【大量供应，原装】罗姆 RGS00TS65EHRYC13 650V 50A超高速开关IGBT，内置快速恢复二极管
产品概述
RGS00TS65EHRYC13是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)推出的高性能超高速开关IGBT模块，采用第7代沟槽栅场截止技术，内置快速恢复二极管(FRD)，专为新能源汽车电驱系统、工业变频器等高频开关应用而设计。
核心特性
超高速开关性能
- 开关速度比常规IGBT提升30%
- 开关频率最高可达50kHz
- 优化的栅极驱动设计
内置快速恢复二极管(FRD)
- 反向恢复时间(trr)仅80ns
- 软恢复特性降低EMI干扰
- 与IGBT芯片优化匹配
高效能表现
- 导通压降VCE(sat): 1.55V @25℃
- 关断损耗Eoff降低20%
- 工作结温范围:-40℃ ~ +175℃
技术参数
- 额定电压：650V
- 额定电流：50A
- 封装形式：TO-247N（标准工业封装）
- 热阻：0.25K/W
- 绝缘电压：2500Vrms
- 重量：38g
典型应用
- 新能源汽车电机控制器
- 车载充电机(OBC)
- 工业变频器
- 光伏逆变器
- UPS不间断电源
明佳达电子供应服务
- 原装正品保证：原厂渠道直供，提供完整原厂资质
- 现货库存充足：常备2000pcs以上库存，支持紧急订单48小时发货，长期稳定供货保障
- 灵活交易方式：支持样品申请(1pcs起)，小批量试产采购，大规模量产供应
如需采购RGS00TS65EHRYC13或获取更多技术资料，欢迎联系明佳达电子销售团队：
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