【2025年7月8日】Wolfspeed本周推出了新型的顶部散热封装碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品，通过顶部散热（TSC）封装，可以显著提升系统功率密度和效率，同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。
本次新推出的U2系列产品全系采用顶部散热封装，提供650 V 至 1200 V 多种电压选项，面向电动汽车车载充电机及快速充电基础设施、电动汽车与工业暖通空调（HVAC）电机驱动、高电压 DC/DC 转换器、太阳能及储能系统、工业电机驱动、工业电源等广泛应用领域。
U2系列提供满足 JEDEC 与 AEC-Q101 标准车规应用认证的选项，具备低剖面、表面贴装设计；顶部散热，热阻（Rth）低；碳化硅（SiC）MOSFET 电压范围：750 V 至 1200 V；碳化硅（SiC）肖特基二极管计划覆盖 650 V 至 1200 V。
U2系列的优势包括SiC顶部散热（TSC）封装中最大的爬电距离；通过优化 PCB 布局实现更高系统功率密度；表面贴装设计支持大规模量产。
顶部散热封装优势？
大多数标准表面贴装分立功率半导体器件通过底部与 PCB 直接接触的方式散热，并依赖安装在 PCB 下方的散热器或冷却板。这种散热方式广泛应用于各类电力电子场景，尤其在 PCB 安装空间和散热器重量不受限制的应用中尤为常见。
相比之下，顶部散热（TSC）器件通过封装顶部实现散热。在顶部散热（TSC）封装内部，芯片采用倒装方式布置于封装上层，使热量能够直接传导至顶部表面。这类器件特别适合汽车及电动交通系统等高性能应用场景——这些领域对高功率密度、先进热管理方案和小型化封装有着严苛要求。在这些应用中，顶部散热（TSC）器件通过实现最大功率耗散并优化热性能，有效满足了系统的冷却需求。
顶部散热（TSC）设计还实现了 PCB 的双面利用，因为底板表面不再需要为散热器预留接口。将散热器从热路径中移除，不仅显著降低了系统整体热阻，还支持自动化组装工艺——这一优势可大幅提升生产效率，从而打造出更具成本效益的解决方案。
