产品描述
BSZ440N10NS3G 是英飞凌推出的 N 沟道功率 MOSFET，属于 OptiMOS™3 系列。该器件专为高效率、高功率密度的电源转换应用设计，具有低导通电阻、快速开关能力和高可靠性等特点。
产品特性
低导通电阻：RDS(on) 低至 3.8 毫欧（典型值），显著降低功率损耗，提升系统效率。
快速开关能力：支持高频工作场景，适应现代高效电源转换需求。
高浪涌电流能力：能够在短时间内承受更大的电流冲击而不损坏。
内置反向二极管：可减少额外元件的需求并简化电路设计。
符合 RoHS 标准：环保且适合全球市场应用。
封装形式：采用 PG-TSDSON-8 封装，提高热性能和电气性能，同时减少安装空间。
规格参数
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：44A
导通电阻：3.8mΩ（典型值）
栅极电荷：72nC（典型值）
最大功率耗散：29W（Ta=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：PG-TSDSON-8
应用领域
BSZ440N10NS3G 广泛应用于以下领域：
开关模式电源（SMPS）：作为功率级开关，提高电源转换效率。
电机驱动：用于电机驱动控制电路中的功率开关。
DC-DC 转换器：作为同步整流器，提升转换效率。
太阳能逆变器：用于可再生能源设备，提供高效功率转换。
工业自动化和消费类电子产品：适用于各种电源管理模块。
明佳达电子供应优势
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