深圳市明佳达电子有限公司原装现货供应意法半导体 STW58N60DM2AG 汽车级N沟道功率MOSFET（600V/50A），TO-247封装
产品描述
STW58N60DM2AG 是意法半导体推出的汽车级 N 沟道功率 MOSFET，采用 MDmesh™ DM2 技术，具有低导通电阻（RDS(on) = 0.052Ω 典型值） 和高开关效率，适用于电动汽车（EV）、车载充电机（OBC）、工业电源等高功率应用。
该器件采用 TO-247-3 封装，符合 AEC-Q101 车规认证，可在 -55°C ~ 150°C 的严苛环境下稳定运行，确保汽车电子系统的长期可靠性。
核心特性
高性能开关能力
600V 漏源电压（Vdss），适用于高电压电源系统。
50A 连续漏极电流（Id），峰值电流能力更强。
低导通电阻（RDS(on) = 60mΩ @ 25A, 10V），减少功率损耗。
车规级可靠性
AEC-Q101 认证，适用于汽车电子（如 OBC、DC-DC 转换器）。
360W 最大功率耗散（Pd），优化散热性能。
优化的栅极驱动
栅极电荷（Qg）仅 90nC @ 10V，降低开关损耗。
驱动电压（Vgs）范围 ±25V，兼容多种驱动电路。
低输入电容（Ciss = 4100pF @ 100V），提升高频开关性能。
关键参数
制造商：STMicroelectronics
封装：TO-247-3（通孔安装）
漏源电压（Vdss）：600V
连续漏极电流（Id）：50A @ 25°C
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ 25A, 10V
栅极电荷（Qg）：90nC @ 10V
功率耗散（Pd）：360W（Tc）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
明佳达电子提供 STW58N60DM2AG 原装现货，支持 1 片起订，确保 100% 原装正品，如有需求，欢迎联系：
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