深圳市明佳达电子有限公司供应 英飞凌 IPA60R060P7 CoolMOS™ P7 N沟道功率MOSFET晶体管
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IPA60R060P7 CoolMOS™ P7 N沟道功率MOSFET晶体管。这款MOSFET采用先进的第7代超结（SJ）技术，为高性能开关电源应用提供了理想的解决方案。
IPA60R060P7是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3通孔封装。该器件具有600V的漏源电压（Vdss） 和48A的连续漏极电流（@25°C）。
IPA60R060P7其导通电阻（RDS（on））最大值为60mΩ（在10V驱动电压和15.9A测试条件下），这一低导通电阻有效降低了传导损耗，提升了系统效率。
IPA60R060P7的栅极电荷（Qg）仅为67nC（@10V），输入电容（Ciss）为2895pF（@400V）。低栅极电荷和电容值意味着更低的开关损耗和驱动需求，使其在高频开关应用中表现优异。
IPA60R060P7支持最大±20V的栅源电压（Vgs），阈值电压（Vgs（th））范围为3V-4V（典型值3.5V）。工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，适用于各种环境条件下的应用。
【CoolMOS™ P7技术优势】
英飞凌CoolMOS™ P7是600V CoolMOS™ P6系列的后续产品，它在设计过程中完美平衡了高效率与易用性。
第7代CoolMOS™平台具有同类产品中较为出色的RonxA和固有低栅极电荷（QG），这确保了系统的高效率。与前代产品和竞争对手相比，其栅极电荷Qg和Eoss降低了30-60%，从而显著降低了驱动损耗和开关损耗。
IPA60R060P7集成了ESD二极管（从180mΩ起且高于RDS（on）s）和栅极电阻器（RG），这增强了器件的稳健性。集成的RG降低了MOSFET对振荡的敏感性，有助于避免ESD故障，提高了制造环境中的易用性。
IPA60R060P7 MOSFET采用了坚硬的体二极管设计，在LLC拓扑体二极管换向中表现出优异的稳健性。它适用于PFC和LLC等硬开关拓扑和谐振开关拓扑。
1. 高效率表现
IPA60R060P7具有优异的品质因数（FOM），包括RDS(on) x Eoss和RDS(on) x QG。这些优化指标直接转化为更高的系统效率，特别是在高频开关应用中。
2. 增强的易用性
IPA60R060P7集成了多项功能，大幅提高了设计易用性：
集成ESD保护二极管：从180mN起且高于RDS(on)s的型号都配备了集成ESD二极管，避免了制造环境中的ESD故障。
集成栅极电阻器（RG）：降低了MOSFET对振荡的敏感度。
坚固的体二极管：使MOSFET适用于PFC和LLC等硬开关拓扑和谐振开关拓扑，在LLC拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性。
3. 热性能与可靠性
IPA60R060P7具有优异的热性能，最大功率耗散能力达到164W（Tc=25°C）。其工作结温范围宽广（-55°C至150°C），适合各种环境条件下的应用。
IPA60R060P7适用于多种电源应用场景，包括但不限于：
电视电源：为液晶和等离子电视提供高效功率转换。
工业SMPS（开关模式电源）：用于工业领域的电源系统。
服务器和通信设备电源：满足数据中心和通信基础设施的高效电源需求。
照明系统：包括各类高效照明设备的电源设计。
适配器和充电器：适用于多种设备的电源适配和充电装置。
IPA60R060P7也广泛用于PC Silverbox、UPS（不间断电源）、太阳能应用、小型轻型电动车、直流电动汽车（EV）充电等场景。
IPA60R060P7广泛的适用性和出色的性能使其成为消费类和工业类应用的理想选择。
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