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Hynix Semiconductor 海力士半导体的发展历程

 

品牌: SK海力士

Hynix Semiconductor 海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。 2012年更名SKhynix。 海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。2012年2月,韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

 
发展过程
2013
  09月4日下午3:30左右,无锡Hynix厂房起火,原因未知
2012年
  02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix,更名SKhynix
2009年
  05月 成立中国无锡市后续工程合作社
  04 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
  03 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
  02 世界最先开发44nm DDR3 DRAM
  01 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产 品认证
2008
  12 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
  11 引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
  08 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
  世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
  为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
  05 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
  04 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎
  开发出世界最高速Mobile LPDDR2
  02 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
  01 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同
  8发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
2007
  12 成功发行国际可兑换券(global convertible notes)
  11WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案,日本败诉
  与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议
  获得对1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证
  业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
 10 与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同
 与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
  09 以24层叠芯片(stacked chips),世界最先开发NAND闪存MCP
  08 开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
  07 发表企业中长期总体规划
  05 业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
  04 DOC H3开始大量生产
  在韩国清州300mm设施开工
  实现最高水平的营业利润率
  03 开发出世界最高速ECC Mobile DRAM
  发表“生态标记(ECO Mark)”
  与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
  与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)
  金钟甲就任新任代表理事、社长
  01 开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块
2006
    年创下最高业绩及利润
2006
   12 业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块
        开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
   10 创下创立以来最高业绩
   通过海力士ST半导体(株)的竣工,构建国际性生产网络
   09 300mm研究生产线下线
   03 业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
   01 发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
2005
  12 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
  11 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
  07 提前从企业重组完善协议中抽身而出
  04 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
  03 发布2004年财务报表,实现高销售利润
  01 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
2004
  11 与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议
  08 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
  07 获得公司成立以来最大的季度营业利润
  06 签订非内存事业营业权转让协议
  03 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz
  1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
  02 成功开发NAND闪存
2003
  12 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
  08 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
  07 宣布在世界上首次发表DDR500
  06 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
  05 采用0.10微米工艺技术投入生产
  超低功率256Mb SDRAM投入批量生产
  04 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
  03 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
2002
  11 出售HYDIS, TFT-LCD业务部门
  10 开发0.10微米、512MB DDR
  08 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
  06 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
  03 开发1G DDR DRAM模块
2001
  8 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
  08 完成与现代集团的最终分离
  07 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’
  05 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
  剥离网络业务‘Hyundai Networks’
  03 公司更名为“Hynix半导体有限公司”
2000
  08 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
  04 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
1999
  10 合并LG半导体有限公司,成立现代半导体株式会社
  03 出售专业的半导体组装公司(ChipPAC)
1998
  09 开发64M的DDR SDRAM
1997
  05 在世界上首次开发1G SDRAM
1996
  12 公司股票上市
1995
  10 在世界上首次开发256M的SDRAM
  在美国俄勒冈州设立半导体工厂
1993
  09 获得半导体类ISO9001证书
  08 接管Maxtor公司(美国HDD生产公司)
1992
  11 开发64M的DRAM
1991
  03 开发16M的DRAM
1989
  11 完成FAB III
  09 开发4M的DRAM
1988
  11 在欧洲当地设立公司(HEE)
  01 开发1M的DRAM
1986
  06 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
  04 设立半导体研究院
1985
  10 开始批量生产256K的DRAM
1984
  09 完成FAB II-A
1983
  02 创立现代电子株式会社
        公司概要展望商业领域主要历程可持续经营
        持续经营报告书伦理经营
        伦理经营宣言伦理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志
 
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点击数:299 | 更新时间:2014-01-07 14:19:31
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