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ST STFH24N60M2 N沟道金属氧化物场效应晶体管 100%原装正品

制造商

STMicroelectronics
制造商零件编号

STFH24N60M2
描述

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 40 周

ST STFH24N60M2 MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

制造商 型号 类型 封装
ST STFH24N60M2 N沟道金属氧化物场效应晶体管 TO-220F 

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1060pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包

产品图片

STFH24N60M2

来自：深圳市明佳达电子有限公司

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点击数：0 | 更新时间：2018-10-24 13:12:51
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