产品特性
- 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 最大引导电压 120V 直流
- 4A 吸收，4A 源输出电流
- 0.9Ω 上拉和下拉电阻
- 输入引脚能够耐受 -10V 至 20V 的电压，并且与电源电压范围无关
- 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
- 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）
- 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
- 短暂传播延迟时间（典型值 18ns)
- 2ns 延迟匹配
- 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
- 可提供全部行业标准封装（小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 封装， PowerPADSOIC-8 封装，4mm × 4mm SON-8 封装以及 4mm × 4mm SON-10 封装）
- -40℃ 至 140℃ 的额定温度范围
应用
- 针对电信，数据通信和商用的电源
- 半桥和全桥转换器
- 推挽转换器
- 高电压同步降压转换器
- 两开关正激式转换器
- 有源箝位正激式转换器
- D 类音频放大器
UCC27210和UCC27211驱动程序基于流行的UCC27200和UCC27201 MOSFET司机，但提供了几个重要的表现改进。峰值输出上拉和下拉电流已增加到4-A源/ 4-A接收器，和上拉/下拉电阻已降低到0.9Ω，从而允许驱动大功率MOSFET在开关过程中具有最小的开关损耗通过MOSFET过渡米勒高原。该输入结构现在能够直接处理-10VDC，增加了稳健性，也允许没有的直接接口到栅极驱动变压器运用纠正二极管。该输入是也独立于电源电压并具有20V最高评级。
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源自：深圳市明佳达电子有限公司
