深圳市明佳达供应全新英飞凌【INFINEON】IPP041N04NG N沟道 场效应晶体管
功能摘要：
出色的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
极低的导通电阻R DS（on）
非常适合快速切换应用
符合RoHS标准 - 无卤素
MSL1评级
优点：
最高的系统效率
需要较少的平行
功率密度增加
降低系统成本
极低的电压过冲
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.1 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 45µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 56nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
封装/外壳 TO-220-3
目标应用：
同步整流
隔离式DC-DC转换器
电机控制
或者开关
公司首页：www.hkmjd.com
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源自：深圳市明佳达电子有限公司
