【深圳市明佳达电子有限公司全新原装出售ST STF22NM60N N沟道 600V 16A MDmesh 功率晶体管】
特征
■ 100％雪崩测试
■ 低输入电容和栅极电荷
■ 低栅极输入电阻
应用
■ 切换应用
描述
这些设备使用第二种设备制造生成MDmesh™技术。这个革命性的功率MOSFET结合了新的功能公司的条形布局垂直结构产生世界上最低阻力和阻力之一门电荷。因此它最适合要求高效转换器。
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 220 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 44nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
批号：最新年份18+ 型号：STF22NM60N 品牌：ST 备注：进口全新原装现货 数量：大量货源
联系qq：1668527835
公司首页：www.hkmjd.com
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