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Infineon BSB008NE2LX N沟道 25V 46A 场效应晶体管

特征

•针对电子熔丝和OR-ing应用进行了优化

•100%雪崩测试

•超低RCanPAK-MX足迹中的DS(on)

•根据JEDEC的资格用于目标应用

•无铅电镀; 符合RoHS标准

•根据IEC61249-2-21无卤素•Double.sided冷却

•兼容DirectFET®封装MX封装和外形

•100%Rg测试•薄型(<0.7 mm)

应用

•服务器的板载电源

•用于高性能计算的电源管理

•同步整流

•高功率密度的负载转换器点

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 46A(Ta),180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 0.8 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 343nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 16000pF @ 12V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc)

工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 MG-WDSON-2,CanPAK M™

封装/外壳 3-WDSON

说明

OptiMOS™25V产品是领先的功率MOSFET,可实现最高功率密度和节能解决方案。超低的栅极和输出电荷在一起OptiMOS™25V采用小尺寸封装,具有最低的导通电阻对于电压调节器解决方案的苛刻要求的最佳选择服务器,数据通信和电信应用。超快速开关控制FET与低EMI同步FET一起提供易于设计的解决方案。OptiMOS™产品采用高性能封装,可满足您的需求最具挑战性的应用程序,可在优化空间效和成本。OptiMOS™产品旨在满足并超越能量锐化下一代的效率和功率密度要求计算应用中的电压调节标准。

BSB008NE2LX

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点击数:0 | 更新时间:2019-01-02 14:42:57
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