NXP《2N7002BKW》N通道增强型场效应晶体管60V 310MA
一般说明
采用小型SOT323（SC-70）的N沟道增强型场效应晶体管（FET）
采用Trench MOSFET技术的表面贴装器件（SMD）塑料封装。
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 310mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） .6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 275mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-70
封装/外壳 SC-70，SOT-323
应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
实物图
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