明佳达电子有限公司原装出售PMGD280UN双N沟道增强型场效应晶体管
批号：1728+
制造商：NXP
型号：PMGD280UN
封装：SOT-363
产品属性
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 870 mA
Rds On-漏源导通电阻: 340 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 0.89 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 0.4 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 2.2 mm
产品: MOSFET Small Signal
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 1.35 mm
商标: Nexperia
CNHTS: 8541290000
下降时间: 10 ns
HTS Code: 8541290075
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 18.5 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
零件号别名: PMGD280UN T/R
单位重量: 7.500 mg
实物图：PMGD280UN
联系qq：1668527835
公司首页：http://www.hkmjd.com
http://www.hkmjd.com/proclass-read-id-1188404.html
来自：深圳市明佳达电子有限公司
