明佳达英飞凌 IPD50R950CE 500V CoolMOS™N沟道 场效应晶体管
制造商：INFINEON
型号：IPD50R950CE
批号：最新18+
特征
1极16A，1形A（NO）触点（W预接触+ AgSnO 2 ）
10A / 250VAC制造和分断能力acc。符合IEC 60669-1
165A / 20ms浪涌峰值电流
单线圈或双稳态线圈
5kV / 10mm线圈接触
加强绝缘
测试选项卡（手动操作员）可选
典型应用
照明系统，运动传感器，灯丝和白炽灯负载，电机
产品参数
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 6.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 860 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 10.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 53 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: XPD50R950
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
下降时间: 19.5 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 4 g
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