明佳达新款到货 ST STW10N95K5 MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
制造商 ST 型号 STW10N95K5 类型 场效应晶体管 封装 TO-247
产品规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 950V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 800 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
STW10N95K5实物图
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