《双N沟道逻辑电平门场效应管IRLHS6276：（IRLHS6276TRPBF）》

 明佳达供应《双N沟道逻辑电平门场效应管IRLHS6276：（IRLHS6276TRPBF）》

制造商：IR

批号：18+

型号：IRLHS6276TRPBF IRLHS6276

备注：全新原装现货

规格

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 10µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 310pF @ 10V

功率 - 最大值 1.5W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-VQFN

供应商器件封装 6-PQFN（2x2）

应用

• 电池充电和放电开关

• 负载/系统切换

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