明佳达电子 Vishay威世【SI3586DV】MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
产品信息
制造商 VISHAY
型号 SI3586DV
类型 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
批号 12+
封装 SOT563
规格
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.9A，2.1A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 830mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 6-TSOP
特性
•N和P通道垂直DMOS
•宏模型（子电路模型）
•3级MOS
•适用于线性和切换应用
•在-55至125°C的温度范围内精确测量
•对栅极电荷，瞬态和二极管反向恢复进行建模特点
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源自：深圳市明佳达电子有限公司
