明佳达大量货源供应英飞凌《IPA60R380P6》MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
批次：1711+
封装：TO-220
型号：IPA60R380P6
说明：
Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术，该技术根据超结原理 (SJ) 设计，并由 Infineon Technologies 率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验，并兼具高度的创新性。 它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时，丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便，散热效果也更佳。 Infineon Technologies 扩展了采用 CoolMOS™ 技术的 CoolMOS® 功率晶体管产品，该技术根据超结原理设计，适用于高压功率 MOSFET 。 这些CoolMOS®功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时提供坚固的超高速体二极管。 Infineon Technologies CoolMOS®功率晶体管尤其适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段。
英飞凌科技股份公司已扩大其的CoolMOS的发行®功率晶体管使用一种革命性的技术，高电压功率MOSFET，根据超结（S设计Ĵ）原则。这些的CoolMOS ®功率晶体管提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供一个非常快速和强大的体二极管。英飞凌的CoolMOS ®功率晶体管，特别适合用于PC Silverbox谐振开关PWM阶段，液晶电视，照明，服务器和电信应用。
规格
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS™ P6
标准包装 500
包装 管件
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 320µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 877pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 31W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
实单可联系陈生：
QQ：1668527835
电话：13410018555
公司首页：www.hkmjd.com
实物图：IPA60R380P6
