明佳达电子公司飞思卡尔供应 MRF5S9080NBR1 65V 960MHZ 射频金属氧化物场效应晶体管
品牌 飞思卡尔 型号 MRF5S9080NBR1 批号 12+ 封装 TO-272
描述:专为GSM和GSM EDGE基站应用而设计频率从869到960 MHz。适用于TDMA,CDMA和多载波放大器应用。
GSM应用
•典型的GSM性能:V DD = 26伏,I DQ = 600 mA,P out = 80瓦
CW,全频带(869-894 MHz或921-960 MHz)。
功率增益 - 18.5 dB
排水效率 - 60%
GSM EDGE应用
•典型的GSM EDGE性能:V DD = 26 V,I DQ = 550 mA,
P out = 36瓦平均,全频带(869-894 MHz或
921-960 MHz)。
功率增益 - 19 dB
排水效率 - 42%
频谱再生@ 400 kHz偏移= -63 dBc
频谱再生@ 600 kHz偏移= -78 dBc
EVM - 2.5%rms
•能够处理10:1 VSWR,@ 26 Vdc,960 MHz,80 W CW
输出功率
特征
•以系列等效大信号阻抗参数为特征
•内部匹配,易于使用
•最高可达32 V DD 操作
•集成ESD保护
•200_C带塑料封装
•符合RoHS标准
•在磁带和卷轴中。R1后缀=每44毫米500个单位,13英寸卷轴。
规格
晶体管类型 LDMOS
频率 960MHz
增益 18.5dB
电压 - 测试 26V
额定电流(安培) -
噪声系数 -
电流 - 测试 600mA
功率 - 输出 80W
电压 - 额定 65V
封装/外壳 TO-272BB
供应商器件封装 TO-272 WB-4
实物图
源自:深圳市明佳达电子有限公司