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库存提供 HITTITE HMC349LP4CETR 4GHz 高隔离SPDT通用射频开关

明佳达电子库存提供 HITTITE HMC349LP4CETR 4GHz 高隔离SPDT通用射频开关

型号 HMC349LP4CETR
批次 07+
封装 QFN

规格

射频类型 通用
拓扑 吸收
电路 SPDT
频率范围 DC ~ 4GHz
隔离 62dB
插损 1.4dB
测试频率 4GHz
P1dB 31dBm
IIP3 46dBm
特性 -
阻抗 50 欧姆
电压 - 供电 5V
工作温度 -40°C ~ 125°C
封装/外壳 16-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 16-QFN(4x4)

描述

HMC349LP4C和HMC349LP4CE具有高隔离度非反射直流至4 GHz GaAs MESFET SPDT开关采用低成本无铅表面贴装封装。该交换机非常适合蜂窝/ PCS / 3G基站产生60至65 dB隔离度,低0.9 dB的应用插入损耗和+52 dBm输入IP3。电源处理在3.5 GHz WLL频段上表现出色开关的P1dB压缩点为+31 dBm。片上电路允许单个正极在非常低的直流电流下,电压控制为0 / + 5伏。启用输入(EN)设置为逻辑高电平将使开关处于“全关”状态。

特征

高隔离度:67 dB @ 1 GHz

2 GHz时62 dB

单正控制:0 / + 5V

+52 dBm输入IP3

无反光设计

全部关闭状态

16 mm 2 无引线QFN SMT封装

典型应用

HMC349LP4C / HMC349LP4CE非常适合:

•基站基础设施

•MMDS和3.5 GHz WLL

•有线电视/ CMTS

•测试仪器

实物图

HMC349LP4CETR

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源自:深圳市明佳达电子有限公司

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点击数:0 | 更新时间:2020-06-24 14:32:37
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