深圳市明佳达电子有限公司提供出售进口原装TI《CSD25401Q3》P沟道NexFET™功率MOSFET 质量保证 全新原装 价格优势！！！
| 型号 | CSD25401Q3 |
| 封装 | SON |
| 年份 | 11+ |
产品参数：
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体:VSON-CLIP-8
晶体管极性:P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
通道模式: Enhancement
商标名:NexFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Single
高度:1 mm
长度:3.3 mm
系列:CSD25401Q3
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:3.3 mm
商标:Texas Instruments
下降时间: 12.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13.5 ns
典型接通延迟时间: 8.1 ns
产品应用：
DC-DC转换器
电池管理
负荷开关
电池保护
有意者请联系陈生：
QQ：1668527835
电话：13410018555
网站首页：www.hkmjd.com
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实物图：CSD25401Q3
