明佳达电子现货出售CYPRESS FM25V01A FM25V01A-GTR 128Kb非易失性存储器 进口原装 价格优势
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描述
FM25V01A是一个128Kb非易失性存储器,采用了先进的铁电工艺。F-RAM是非易失性的,执行类似于RAM的读取和写入。它提供可靠的保留了151年的数据,同时消除了复杂性,串行性引起的开销和系统级可靠性问题闪存,EEPROM和其他非易失性存储器。
与串行闪存和EEPROM不同,FM25V01A执行写操作以公交车速度运行。没有写入延迟。数据是每个字节后立即将其写入内存阵列成功转移到设备。下一个公交周期可以无需进行数据轮询即可开始。除此之外与其他产品相比,该产品具有可观的书写耐力非易失性存储器。FM25V01A能够支持10 14个读/写周期,或多一亿倍的写周期比EEPROM。
这些功能使FM25V01A非常适合非易失性记忆应用领域要求经常要么快速写道。示例包括数据记录,写次数周期对于要求严格的工业控制至关重要,串行闪存或EEPROM的长时间写入会导致数据丢失。
FM25V01A为串行用户提供了很多好处EEPROM或闪存作为硬件的替代品。的FM25V01A使用高速SPI总线,可增强F-RAM技术的高速写入能力。设备包含一个只读的设备ID,该ID允许主机确定制造商,产品密度和产品修订。设备规格在–40℃至+85℃。
特征
■ 128 Kb铁电随机存取存储器(F-RAM)
逻辑组织为16K×8
❐高耐力100万亿(1014 )读/写
❐ 151年的数据保留(请参阅数据保留和耐力表)
❐无需等待™写
❐先进的高可靠性铁电工艺
■非常快速的串行外围设备接口(SPI)
❐高达40MHz的频率
❐直接更换串行闪存和EEPROM的硬件
❐支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
■复杂的写保护方案
❐使用写保护(WP)引脚硬件保护
❐使用写禁止指令软件保护
❐针对1 / 4、1 / 2或整个阵列的软件块保护
■设备ID
❐制造商ID和产品ID
■低功耗
❐以40MHz 2.5毫安有功电流
❐ 150A待机电流
❐ 8A睡眠模式电流
■低压操作:V DD = 2.0 V至3.6 V
■工业温度:–40C到+85C
■ 8引脚小尺寸集成电路(SOIC)封装
■符合有害物质限制(RoHS)
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源自:深圳市明佳达电子有限公司