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原装热销ON安森美 NTR1P02LT1G P-沟道 20V 1.3A 场效应晶体管

 明佳达电子原装热销ON安森美 NTR1P02LT1G  P-沟道 20V 1.3A 场效应晶体管  价格实惠   质量可保证

 

型号:NTR1P02LT1G

品牌:ON

批号:20+ 

封装:SOT23-3 

 

描述

这些微型表面贴装MOSFET具有低R DS(on)的特性,可确保功耗最小,节省能源,使这些设备成为理想选择用于空间敏感的电源管理电路。

典型应用是便携式直流-直流转换器和电源管理以及电池供电的产品,例如计算机,打印机,PCMCIA卡,蜂窝电话和无绳电话。

特征

•低RDS(on)提供更高的效率并延长电池寿命

•微型SOT-23表面贴装封装节省了电路板空间

•无铅封装可用

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 750mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4V

Vgs(最大值) ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 225pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 400mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

 

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点击数:0 | 更新时间:2020-10-15 16:55:04
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