深圳市明佳达电子公司热卖Everspin MR25H40VDFR、MR25H40CDFR 串行SPI MRAM存储器
年份 | 最新 |
封装 | DFN |
描述
Everspin MR25H40VDFR和MR25H40CDFR串行SPI MRAM允许对存储器进行随机读写操作,而且没有写入延迟。这两款MRAM非常适合于必须通过一小部分I/O引脚快速存储数据和程序的应用,为16,384字 x 8位的128Kb器件,不仅在读写耐久性方面表现出色,而且还拥有与串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序,并且没有写入延迟。
特性
无写入延迟
出色的耐写入能力
数据保存期长达20年以上
掉电时提供自动数据保护功能
块写保护
快速、简单的SPI接口,支持高达40MHz的时钟速率
2.7至3.6V工作电源范围
低电流休眠模式
工业和汽车级温度范围
采用符合RoHS标准的8引脚DFN Small Flag封装
串行EEPROM、闪存和FeRAM的直接替代品
工业级与AEC-Q100 Grade 1和Grade 3三种选择
MSL-3湿度敏感等级
产品属性
制造商: Everspin Technologies
产品种类: MRAM存储器
封装 / 箱体: DFN-8
接口类型: SPI
存储容量: 4 Mbit
组织: 512 k x 8
数据总线宽度: 8 bit
访问时间: 25 ns
电源电压-最小: 3 V
电源电压-最大: 3.6 V
工作电源电流: 46.5 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
系列: MR25H40
封装: Reel
安装风格: SMD/SMT
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 0.6 W
产品类型: MRAM
工厂包装数量: 4000
子类别: Memory & Data Storage
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