明佳达电子库存提供SKHYNIX《H5TC8G63AMR-PBA》8Gb 低功耗DDR3L SDRAM存储器
| 年份 | 最新 |
| 封装 | FBGA |
描述
H5TC8G43AMR-xxA，H5TC8G83AMR-xxA和H5TC8G63AMR-xxA是8Gb低功耗Double DataRate III（DDR3L）同步DRAM，非常适合需要大量存储空间的主存储器应用存储器密度，高带宽和低功耗工作在1.35V。DDR3L SDRAM提供向后与基于1.5V DDR3的环境兼容，无需进行任何更改。（请参阅SPD信息-详细信息。）SK hynix 8Gb DDR3L SDRAM提供完全同步的操作，涉及上升和下降时钟的边缘。虽然所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存（时钟边沿），在上升沿和下降沿都采样数据，数据选通脉冲和写数据掩码输入它的下降边缘。数据路径在内部进行了流水线处理，并预取了8位数据，以实现很高的带宽宽度。
特征
•VDD = VDDQ = 1.35V + 0.100 /-0.067V
•完全差分时钟输入（CK，CK）操作
•差分数据选通（DQS，DQS）
•片上DLL将CK的DQ，DQS和DQS过渡对齐
过渡
•DM掩码在上升和下降时均写入数据
数据选通的边缘
•除数据外的所有地址和控制输入，
数据选通和数据屏蔽锁定在
时钟的上升沿
•可编程的CAS延迟6、7、8、9、10和11
支持的
•可编程附加延迟0，CL-1和CL-2
支持的
•可编程CAS写入延迟（CWL）= 5、6、7、8
•可编程突发长度为4/8，两个半字节
顺序和交错模式
•BL即时切换
•8banks
•AverageRefreshCycle（Tcaseof0 ö C〜95 Ò C）
-0 o C〜85 o C时为7.8 µs
-在85 o C〜95 o C时为3.9 µs
•JEDEC标准78球FBGA（x4 / x8），96bal FBGA（x16）
•EMRS选择的驾驶员力量
•支持动态管芯端接
•支持异步RESET引脚
•支持ZQ校准
•支持TDQS（终端数据选通）（仅x8）
•支持写均衡
•8位预取
•本产品符合RoHS指令
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