深圳市明佳达电子公司供应全新原装CREE C2M0040120 1200V 60A N沟道金属氧化物场效应晶体管
| 年份 | 最新 |
| 封装 | TO-247 |
特征：
•低电容的高速开关
•高阻断电压和低R DS（on）
•易于并联且易于驱动
•防闩锁
•无卤素，符合RoHS
规格
| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 40A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 115nC @ 20V |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1893pF @ 1000V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
应用
•太阳能逆变器
•开关电源
•高压DC / DC转换器
•电机驱动
有意者可致电联系车先生：
qq：1668527835
电话：13410018555
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实物图：C2M0040120
