深圳市明佳达电子公司供应全新原装CREE C2M0040120 1200V 60A N沟道金属氧化物场效应晶体管
年份 | 最新 |
封装 | TO-247 |
特征:
•低电容的高速开关
•高阻断电压和低R DS(on)
•易于并联且易于驱动
•防闩锁
•无卤素,符合RoHS
规格
FET 类型 | N 通道 |
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技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss) | 1200V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 52 毫欧 @ 40A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 10mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 115nC @ 20V |
Vgs(最大值) | +25V,-10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1893pF @ 1000V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 330W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
应用
•太阳能逆变器
•开关电源
•高压DC / DC转换器
•电机驱动
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实物图:C2M0040120