深圳市明佳达电子出售EVERSPIN EMD3D256M16G2-150磁阻随机存取存储器 (MRAM) 进口原装 价格低廉 质量可保证
| 年份 | 最新 |
| 封装 | BGA96 |
说明：
EMD3D256M16是非易失性256Mb DDR3自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（MRAM），最大时钟频率为667MHz。这些DRAM在DDR3速度下具有非易失性和高耐久性。DDR3 STT-MRAM是内部配置为八存储区RAM的高速MRAM。这些DRAM能够以高达1333MT / sec / pin的速率进行DDR3操作。设计为符合DDR3 DRAM的所有功能，包括器件终端（ODT）和内部ZQ校准。不需要自旋扭矩MRAM技术的单元刷新，从而简化了系统设计并减少了开销。
特征：
非易失性256Mb（32Mb x 816Mb x 16）DDR3
支持标准DDR3 SDRAM功能
V DD 1.5V +/- 0.075V
高达667MHz f CK（1333MT /秒/针）
页面大小为512位（x8）或1024位（x16）
所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存
设备上端接（ODT）
片上DLL将CK过渡对齐DQ，DQS和DQS过渡
突发长度为8，可编程突发斩波长度为4
实单者可来电联系陈先生：
qq：1668527835
电话：13410018555
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