IRF7303 IRF7303Q AUIRF7303Q -- Advanced Planar Technology Dual N Channel MOSFET
Features
Advanced Planar Technology
Dual N Channel MOSFET
Low On-Resistance
Dynamic dV/dT Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified*
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） |
1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) |
520pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) |
25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） |
50 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 供应商器件封装 |
8-SO |
| 功率 - 最大值 |
2W |
| 包装 |
剪切带 （CT） |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 封装/外壳 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 漏源极电压 (Vdss) |
30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） |
4.9A |
| FET 功能 |
标准 |
| FET 类型 |
2 个 N 沟道（双） |
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