明佳达最新库存 ON NTMFS4C028NT1G N沟道 MOSFET 晶体管 - FET
NTMFS4C028 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。
产品属性
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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30 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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9A（Ta）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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5.8 毫欧 @ 30A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.1V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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10.9 nC @ 4.5 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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1252 pF @ 15 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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760mW（Ta），25.5W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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5-DFN（5x6）（8-SOFL）
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封装/外壳
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8-PowerTDFN，5 引线
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应用
CPU 供电
DC-DC 转换器
公司网址：www.hkmjd.com/www.xjjhic.com
QQ：1668527835
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