明佳达电子进口原装供应功率MOSFET NTMFS4C09 NTMFS4C09NT1G 单 N沟道 晶体管
NTMFS4C09N: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ
属性
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 22.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25.5 W
通道模式: Enhancement
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 50 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 32 ns
系列: NTMFS4C09N
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 750 mg
实单有兴趣的商友请联系陈先生：
QQ：1668527835
电话：13410018555
邮箱：chen13410018555@163.com
公司网址：www.hkmjd.com
