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BSM200GB120DN2

BSM200GB120DN2
型号:BSM200GB120DN2
品牌:Infineon Infineon
批号:13+ROHS
封装:IGBT
原价:500
数量:38538
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详细描述

 BSM200GB120DN2 - IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) - Siemens Semiconductor Group

 

 Manufacturer: Infineon
Product Category: IGBT Modules
RoHS: RoHS Compliant Details
Brand: Infineon Technologies
Product: IGBT Silicon Modules
Configuration: Half Bridge Module
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 290 A
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Power Dissipation: 1.4 kW
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Package / Case: Half Bridge2
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Mounting Style: Screw
 
 
 
 
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